三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层
快科技4月16日消息，三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。
这一代新闪存将采用新的堆叠架构，底部是CMOS层加逻辑电路，上边是145层闪存阵列，再上边又是145层闪存阵列。
这种方法虽然更复杂，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以轻松进一步拓展。
按照三星的规划，2025年下半年将量产第十代V-NAND，进一步堆叠到430层。
更遥远的未来，三星可能会在2030年左右做到1000层。
中国长江存储可能会在今年下半年量产300层，SK海力士计划明年初量产321层，铠侠号称2031年量产1000多层！
【本文结束】如需转载请务必注明出处：快科技
责任编辑：上方文Q
转载声明：本文为转载发布，仅代表原作者或原平台态度，不代表我方观点。今日澳洲仅提供信息发布平台，文章或有适当删改。对转载有异议和删稿要求的原著方，可联络content@sydneytoday.com。
相关新闻
今日评论
网友评论仅供其表达个人看法，并不表明网站立场。
最新评论(0)
暂无评论
热评新闻
+61
+86
+886
+852
+853
+64
