传英特尔18A芯片制造技术提前6个月推出

作为这一战略的一部分，该芯片制造商的目标是每年推出一项新的制造技术，其英特尔4技术预计将在今年晚些时候进入工厂车间。然而，半导体制造市场的竞争非常激烈，英特尔的主要竞争对手台湾半导体制造公司（TSMC）已经制定了若干先进工艺技术的计划，最终达到2nm半导体制造节点。

今天的传言称，英特尔对台积电2nm技术的回应，即英特尔18A节点，据称准备提前投产。它援引行业内的消息来源称，这项技术将比预期提前进入生产。如果传言成真，英特尔和台积电在2nm生产方面将不相上下

英特尔的技术路线图是在去年7月公布的，它概述了五种新的制造技术。它还对这些技术进行了重新命名，以使其与台积电提供的产品保持一致。在重塑品牌之前，英特尔的技术被认为是比台湾公司提供的技术更上一层楼。例如，在更名之前，当提及两种工艺所打印的晶体管的关键尺寸时，台积电的7nm工艺节点被认为在理论上等同于英特尔的10nm工艺，。

这家美国公司的技术路线图列出了新命名的英特尔10、英特尔7、英特尔4、英特尔3、英特尔20A和英特尔18A制造工艺。在这些工艺中，18A是最先进的工艺，当时英特尔概述了这项技术将在2025年下半年投入生产。

现在，根据EET-China和ITHome分享的据称来自业界的报告，18A节点，相当于1.8nm，将在2024年下半年进入生产，比计划提前6个多月。如果传言最后成真，那么当涉及到后者的可比2nm芯片制造工艺时，英特尔将与台积电并驾齐驱。台积电首席执行官发言表明，该公司预计该技术将在2025年进入大规模生产。这与英特尔对18A节点的官方时间表相吻合。

2020年出现的传言显示，台积电可能用于2nm的多桥通道场效应（MBCFET）晶体管可以在2024年进入生产。MBCFET晶体管通过给晶体管增加更多的传导区域，扩大了大多数公司目前使用的FinFET设计。然而芯片制造商目前正专注于3nm制造工艺，三星晶圆厂和台积电都在为大规模生产而努力。英特尔的英特尔4工艺位于其竞争对手的5nm和3nm节点之间，定于在今年下半年进入生产。

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